场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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2N7002KDW

2N7002KDW

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363

HY Electronic (Cayman) Limited

9,664 -
2N7002KDW

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 60V 115mA (Ta) 3Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.8nC @ 4.5V 35pF @ 25V 200mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
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