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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds FET 特性 功耗（最大值） 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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    STB34NM60N

    STB34NM60N

    MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 500 -
    请求报价
    		STB34NM60N

    数据表

         		MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±25V 2722 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NVH4L060N065SC1

    NVH4L060N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 443 -
    请求报价
    		NVH4L060N065SC1

    数据表

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V - 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFH60N65X2

    IXFH60N65X2

    MOSFET N-CH 650V 60A TO247

    Littelfuse Inc.

    		 290 -
    请求报价
    		IXFH60N65X2

    数据表

         		HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 60A (Tc) 10V 52mOhm @ 30A, 10V 5.5V @ 4mA 107 nC @ 10 V ±30V 6180 pF @ 25 V - 780W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IXTH60N20X4

    IXTH60N20X4

    MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

    Littelfuse Inc.

    		 383 -
    请求报价
    		IXTH60N20X4

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    STWA88N65M5

    STWA88N65M5

    MOSFET N-CH 650V 84A TO247

    STMicroelectronics

    		 593 -
    请求报价
    		STWA88N65M5

    数据表

         		MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 84A (Tc) 10V 29mOhm @ 42A, 10V 5V @ 250µA 204 nC @ 10 V ±25V 8825 pF @ 100 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFR44N50P

    IXFR44N50P

    MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 289 -
    请求报价
    		IXFR44N50P

    数据表

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 22A, 10V 5V @ 4mA 98 nC @ 10 V ±30V 5440 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    NVMTS0D7N04CLTXG

    NVMTS0D7N04CLTXG

    AFSM T6 40V LL NCH

    onsemi

    		 3,029 -
    请求报价
    		NVMTS0D7N04CLTXG

    数据表

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 67A (Ta), 433A (Tc) 4.5V, 10V 0.63mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 205 nC @ 10 V ±20V 12238 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    IPDQ60R022S7XTMA1

    IPDQ60R022S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

    Infineon Technologies

    		 738 -
    请求报价
    		IPDQ60R022S7XTMA1

    数据表

         		CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 12V 22mOhm @ 23A, 12V 4.5V @ 1.44mA 150 nC @ 12 V ±20V 5639 pF @ 300 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    R6030JNZ4C13

    R6030JNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 30A TO247G

    Rohm Semiconductor

    		 391 -
    请求报价
    		R6030JNZ4C13

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 15V 143mOhm @ 15A, 15V 7V @ 5.5mA 74 nC @ 15 V ±30V 2500 pF @ 100 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    NTMTS1D6N10MCTXG

    NTMTS1D6N10MCTXG

    SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

    onsemi

    		 2,873 -
    请求报价
    		NTMTS1D6N10MCTXG

    数据表

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 650µA 106 nC @ 10 V ±20V 7630 pF @ 50 V - 5W (Ta), 291W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    NTBG060N065SC1

    NTBG060N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

    onsemi

    		 708 -
    请求报价
    		NTBG060N065SC1

    数据表

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    FCH077N65F-F085

    FCH077N65F-F085

    MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

    onsemi

    		 854 -
    请求报价
    		FCH077N65F-F085

    数据表

         		SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 77mOhm @ 27A, 10V 5V @ 250µA 164 nC @ 10 V ±20V 7162 pF @ 25 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    STW34NM60ND

    STW34NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 29A TO247

    STMicroelectronics

    		 588 -
    请求报价
    		STW34NM60ND

    数据表

         		FDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4 nC @ 10 V ±25V 2785 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    STW65N80K5

    STW65N80K5

    MOSFET N-CH 800V 46A TO247

    STMicroelectronics

    		 439 -
    请求报价
    		STW65N80K5

    数据表

         		MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 46A (Tc) 10V 80mOhm @ 23A, 10V 5V @ 100µA 92 nC @ 10 V ±30V 3230 pF @ 100 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH26N65X2

    IXFH26N65X2

    IXFH26N65X2

    Littelfuse Inc.

    		 288 -
    请求报价
    		IXFH26N65X2

    数据表

         		HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 26A (Tc) 10V 130mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 2.5mA 45 nC @ 10 V ±30V 2450 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFH6N120

    IXFH6N120

    MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 580 -
    请求报价
    		IXFH6N120

    数据表

         		HiPerFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 6A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 3A, 10V 5V @ 2.5mA 56 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    SCT4045DW7TL

    SCT4045DW7TL

    750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 424 -
    请求报价
    		SCT4045DW7TL

    数据表

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 31A (Tj) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 93W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    SCT3160KW7TL

    SCT3160KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 3,872 -
    请求报价
    		SCT3160KW7TL

    数据表

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) - 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - 100W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTQ120N20P

    IXTQ120N20P

    MOSFET N-CH 200V 120A TO3P

    Littelfuse Inc.

    		 265 -
    请求报价
    		IXTQ120N20P

    数据表

         		Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 714W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    NVBG095N065SC1

    NVBG095N065SC1

    SIC MOS D2PAK-7L 650V

    onsemi

    		 755 -
    请求报价
    		NVBG095N065SC1

    数据表

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 15V, 18V 105mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 4mA 50 nC @ 18 V - 956 pF @ 325 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
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