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IGBT 阵列

制造商	系列	封装/外壳	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集电极发射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	导通电压 (Vce(on)）（最大值）@ Vge, Ic	电流 - 集电极截止（最大值）	输入电容 (Cies) @ Vce	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	供应商设备封装
	* - BIMOSFET™ ISOPLUS™	- 24-SMD Module, 9 Leads 9-SMD Module i4-Pac™-4, Isolated i4-Pac™-5	Box Bulk Tape & Reel (TR) Tube	Active Obsolete	- NPT PT	- Full Bridge Half Bridge	- 1200 V 1700 V 2500 V 3000 V 600 V	- 18 A 23 A 30 A 32 A 33 A 34 A 38 A 40 A 43 A 50 A 63 A	- 100 W 125 W 130 W 140 W 150 W 200 W 230 W	- 2.15V @ 15V, 35A 2.1V @ 15V, 15A 2.2V @ 15V, 25A 2.4V @ 15V, 20A 2.6V @ 15V, 30A 2.7V @ 15V, 22A 2.9V @ 15V, 20A 3.1V @ 15V, 20A 3.2V @ 15V, 20A 6V @ 15V, 16A	- 10 µA 100 µA 125 µA 150 µA 2.1 mA 200 µA 35 µA 400 µA 600 µA	- 1.1 nF @ 25 V 1.19 nF @ 15 V 1.2 nF @ 25 V 1.6 nF @ 25 V 2 nF @ 25 V 2.2 nF @ 25 V 2.4 nF @ 25 V	- Standard	- No	- -55°C ~ 150°C (TJ)	- Surface Mount Through Hole	- 24-SMPD ISOPLUS i4-PAC™ ISOPLUS-SMPD™.B

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