存储器

存储器

存储器是用于数据存储,程序存储,缓存和系统运行支持的集成电路产品,广泛应用于工业控制,通信设备,消费电子,汽车电子,服务器,嵌入式系统,物联网终端和智能硬件等电子系统中.常见类型包括 FLASH 存储器,EEPROM,DRAM,SRAM,NAND 闪存,NOR 闪存,FRAM,MRAM 和存储卡控制相关器件等.

宝利科技作为专业电子元器件分销商,可为客户供应行业主流厂商的多系列存储器产品,包括美光(Micron),三星半导体(Samsung Semiconductor),SK 海力士(SK hynix),铠侠(Kioxia),旺宏(Macronix),华邦(Winbond),赛普拉斯(Cypress),英飞凌(Infineon),微芯科技(Microchip),意法半导体(STMicroelectronics)等品牌.您可在下方产品列表中查询所需存储器型号的库存,价格,封装规格,品牌,参数及 PDF 规格书等相关资料,并提交 BOM 或型号清单进行批量询价.

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 厂商型号 可用性 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 可编程 存储类型 存储格式 技术 存储容量 存储组织 存储接口 时钟频率 写周期时间 - 字,页 访问时间 电压 - 电源 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
IS43LQ16256B-053BLI

IS43LQ16256B-053BLI

IC DRAM 4GBIT LVSTL 200VFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

136 -
IS43LQ16256B-053BLI

数据表

- 200-VFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 4Gbit 256M x 16 LVSTL 1.867 GHz - - 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 200-VFBGA (10x14.5)
CY62157ELL-55ZSXE

CY62157ELL-55ZSXE

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

Infineon Technologies

115 -
CY62157ELL-55ZSXE

数据表

MOBL™ 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 8Mbit 512K x 16 Parallel - 55ns 55 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 125°C (TA) - - Surface Mount 44-TSOP II
CY7C1413KV18-250BZXC

CY7C1413KV18-250BZXC

IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA

Infineon Technologies

136 -
CY7C1413KV18-250BZXC

数据表

- 165-LBGA Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Synchronous, QDR II 36Mbit 2M x 18 Parallel 250 MHz - - 1.7V ~ 1.9V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 165-FBGA (13x15)
CY15V102QN-50SXI

CY15V102QN-50SXI

IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8SOIC

Infineon Technologies

798 -
CY15V102QN-50SXI

数据表

Excelon™-LP,F-RAM™ 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Tube Active Not Verified Non-Volatile FRAM FRAM (Ferroelectric RAM) 2Mbit 256K x 8 SPI 50 MHz - 8 ns 1.71V ~ 1.89V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-SOIC
MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT

MT29C4G48MAYBBAKS-48 IT

IC FLASH RAM 4GBIT PAR 208MHZ

Micron Technology Inc.

1,140 -

-

- - Tray Active Not Verified Non-Volatile, Volatile FLASH, RAM FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDRAM) 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) Parallel 208 MHz - - 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) - - - -
CY62158ELL-45ZSXI

CY62158ELL-45ZSXI

IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

Infineon Technologies

631 -
CY62158ELL-45ZSXI

数据表

MOBL™ 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Tray Active Not Verified Volatile SRAM SRAM - Asynchronous 8Mbit 1M x 8 Parallel - 45ns 45 ns 4.5V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 44-TSOP II
EM004LXQBDH13CS1T

EM004LXQBDH13CS1T

IC RAM 4MB XSPI/QUAD 8DFN

Everspin Technologies Inc.

460 -
EM004LXQBDH13CS1T

数据表

EMxxLX 8-VDFN Exposed Pad Tray Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 4Mbit 512K x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - - 1.65V ~ 2V 0°C ~ 70°C (TA) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
MX66U1G45GXDI54

MX66U1G45GXDI54

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24CSPBGA

Macronix

399 -
MX66U1G45GXDI54

数据表

MXSMIO™ 24-TBGA, CSPBGA Tray Active - Non-Volatile FLASH FLASH - NOR (SLC) 1Gbit 256M x 4, 512M x 2, 1G x 1 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 166 MHz 60µs, 750ns 5.5 ns 1.65V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-CSPBGA (6x8)
CY14V256LA-BA35XI

CY14V256LA-BA35XI

IC NVSRAM 256KBIT PAR 48FBGA

Infineon Technologies

294 -
CY14V256LA-BA35XI

数据表

- 48-TFBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 256Kbit 32K x 8 Parallel - 35ns 35 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-FBGA (6x10)
CY14B256LA-SP45XIT

CY14B256LA-SP45XIT

IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP

Infineon Technologies

1,826 -
CY14B256LA-SP45XIT

数据表

- 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 256Kbit 32K x 8 Parallel - 45ns 45 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 48-SSOP
CY14V101QS-SE108XIT

CY14V101QS-SE108XIT

IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC

Infineon Technologies

643 -
CY14V101QS-SE108XIT

数据表

- 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Tape & Reel (TR) Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 SPI 108 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 16-SOIC
AS4C1G16D4A-62BCN

AS4C1G16D4A-62BCN

DDR4, 16GB, 1G X 16, 1.2V, 96-BA

Alliance Memory, Inc.

170 -
AS4C1G16D4A-62BCN

数据表

* - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - - -
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR

MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR

IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 90VFBGA

Micron Technology Inc.

990 -
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR

数据表

- 90-VFBGA Tape & Reel (TR) Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR 2Gbit 64M x 32 Parallel 208 MHz 14.4ns 5 ns 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 90-VFBGA (8x13)
NLQ46PFS-6NIT TR

NLQ46PFS-6NIT TR

IC DRAM 4GBIT LVSTL 200FBGA

Insignis Technology Corporation

2,000 -
NLQ46PFS-6NIT TR

数据表

- 200-WFBGA Tape & Reel (TR) Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 4Gbit 256M x 16 LVSTL 1.6 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 85°C (TC) - - Surface Mount 200-FBGA (10x14.5)
CY14V101QS-BK108XI

CY14V101QS-BK108XI

IC NVSRAM 1MBIT SPI 24FBGA

Infineon Technologies

360 -
CY14V101QS-BK108XI

数据表

- 24-TBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile NVSRAM NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 1Mbit 128K x 8 SPI 108 MHz - - 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-FBGA (6x8)
EM004LXQBDH13IS1T

EM004LXQBDH13IS1T

IC RAM 4MB XSPI/QUAD 8DFN

Everspin Technologies Inc.

527 -
EM004LXQBDH13IS1T

数据表

EMxxLX 8-VDFN Exposed Pad Tray Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 4Mbit 512K x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - - 1.65V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
EM004LXQBB313IS1T

EM004LXQBB313IS1T

IC RAM 4MBIT XSPI/QUAD 24TBGA

Everspin Technologies Inc.

480 -
EM004LXQBB313IS1T

数据表

EMxxLX 24-TBGA Tray Active - Non-Volatile RAM MRAM (Magnetoresistive RAM) 4Mbit 512K x 8 SPI - Quad I/O 133 MHz - - 1.65V ~ 2V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 24-TBGA (6x8)
AS4C32M16SB-7BIN

AS4C32M16SB-7BIN

IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA

Alliance Memory, Inc.

241 -
AS4C32M16SB-7BIN

数据表

- 54-TFBGA Tray Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM 512Mbit 32M x 16 Parallel 143 MHz 14ns 6 ns 3V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 54-FBGA (8x8)
AS4C64M32MD4-062BAN

AS4C64M32MD4-062BAN

IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA

Alliance Memory, Inc.

680 -
AS4C64M32MD4-062BAN

数据表

- 200-WFBGA Tray Active - Volatile DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 2Gbit 64M x 32 LVSTL 1.6 GHz 18ns 3.5 ns 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V -40°C ~ 105°C (TC) - - Surface Mount 200-FBGA (10x14.5)
W29N08GVBIAA

W29N08GVBIAA

IC FLASH 8GBIT PAR 63VFBGA

Winbond Electronics

530 -
W29N08GVBIAA

数据表

- 63-VFBGA Tray Active Not Verified Non-Volatile FLASH FLASH - NAND (SLC) 8Gbit 1G x 8 Parallel 40 MHz 25ns 25 ns 2.7V ~ 3.6V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 63-VFBGA (9x11)
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