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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds FET 特性 功耗（最大值） 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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    SCT4026DEC11

    SCT4026DEC11

    750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 4,887 -
    请求报价
    		SCT4026DEC11

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
    SCT2160KEHRC11

    SCT2160KEHRC11

    1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 374 -
    请求报价
    		SCT2160KEHRC11

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 22A (Tc) 18V 208mOhm @ 7A, 18V 4V @ 2.5mA 62 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 800 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IXTR102N65X2

    IXTR102N65X2

    MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    请求报价
    		IXTR102N65X2

    数据表

         		Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 33mOhm @ 51A, 10V 5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±30V 10900 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    SCT4026DW7HRTL

    SCT4026DW7HRTL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 995 -
    请求报价
    		SCT4026DW7HRTL

    数据表

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7L
    SCT4026DW7TL

    SCT4026DW7TL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 988 -
    请求报价
    		SCT4026DW7TL

    数据表

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tj) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 150W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7L
    IPZA65R018CFD7XKSA1

    IPZA65R018CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 238 -
    请求报价
    		IPZA65R018CFD7XKSA1

    数据表

         		CoolMOS™ CFD7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 106A (Tc) 10V 18mOhm @ 58.2A, 10V 4.5V @ 2.91mA 234 nC @ 10 V ±20V 11660 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    NVHL027N65S3F

    NVHL027N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 479 -
    请求报价
    		NVHL027N65S3F

    数据表

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 227 nC @ 10 V ±30V 7780 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IXFR24N100Q3

    IXFR24N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 337 -
    请求报价
    		IXFR24N100Q3

    数据表

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 490mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    C3M0075120D-A

    C3M0075120D-A

    75M 1200V 175C SIC FET

    Wolfspeed, Inc.

    		 379 -
    请求报价
    		C3M0075120D-A

    数据表

         		C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 54 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFL100N50P

    IXFL100N50P

    MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 225 -
    请求报价
    		IXFL100N50P

    数据表

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 70A (Tc) 10V 52mOhm @ 50A, 10V 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V ±30V 20000 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS264™
    SCTWA50N120

    SCTWA50N120

    SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

    STMicroelectronics

    		 378 -
    请求报价
    		SCTWA50N120

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 20V 69mOhm @ 40A, 20V 3V @ 1mA 122 nC @ 20 V +25V, -10V 1900 pF @ 400 V - 318W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    STY100NM60N

    STY100NM60N

    MOSFET N CH 600V 98A MAX247

    STMicroelectronics

    		 600 -
    请求报价
    		STY100NM60N

    数据表

         		MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 98A (Tc) 10V 29mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 330 nC @ 10 V 25V 9600 pF @ 50 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    IXFX44N80P

    IXFX44N80P

    MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    请求报价
    		IXFX44N80P

    数据表

         		HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK32N100P

    IXFK32N100P

    MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    请求报价
    		IXFK32N100P

    数据表

         		HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 32A (Tc) 10V 320mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 1mA 225 nC @ 10 V ±30V 14200 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFB110N60P3

    IXFB110N60P3

    MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264

    Littelfuse Inc.

    		 118 -
    请求报价
    		IXFB110N60P3

    数据表

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 110A (Tc) 10V 56mOhm @ 55A, 10V 5V @ 8mA 245 nC @ 10 V ±30V 18000 pF @ 25 V - 1890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS264™
    S2M0040120D

    S2M0040120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 221 -
    请求报价

    -

    		 - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-3
    IXFR80N50Q3

    IXFR80N50Q3

    MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    		 192 -
    请求报价
    		IXFR80N50Q3

    数据表

         		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 72mOhm @ 40A, 10V 6.5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 10000 pF @ 25 V - 570W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    S2M0040120K

    S2M0040120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 103 -
    请求报价

    -

    		 - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
    NTH4L027N65S3F

    NTH4L027N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

    onsemi

    		 449 -
    请求报价
    		NTH4L027N65S3F

    数据表

         		FRFET®, SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 3mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NTH027N65S3F-F155

    NTH027N65S3F-F155

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    		 472 -
    请求报价
    		NTH027N65S3F-F155

    数据表

         		FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 27.4mOhm @ 35A, 10V 5V @ 7.5mA 259 nC @ 10 V ±30V 7690 pF @ 400 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
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