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Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA2
- 零件编号:
- BSF134N10NJ3GXUMA2
- 封装:
- DirectFET™ Isometric ST
BSF134N10NJ3GXUMA2.pdf- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
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BSF134N10NJ3GXUMA2 规格
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- 属性
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- 制造商
- Infineon Technologies
- 系列:
- OptiMOS™
- 封装/外壳:
- DirectFET™ Isometric ST
- 包装:
- Tape & Reel (TR)
- 产品状态:
- Active
- FET 类型:
- N-Channel
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 100 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 9A (Ta), 40A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:
- 6V, 10V
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 13.4mOhm @ 30A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 3.5V @ 40µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 30 nC @ 10 V
- 栅极电压 (Vgs)（最大值）:
- ±20V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 2300 pF @ 50 V
- FET 特性:
- -
- 功耗（最大值）:
- 2.2W (Ta), 43W (Tc)
- 工作温度:
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 安装类型:
- Surface Mount
- 供应商设备封装:
- MG-WDSON-2
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| 图片 |  |
| 零件编号 | BSF134N10NJ3GXUMA2 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ST |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Active |
| FET 类型 | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 100 V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 40A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 6V, 10V |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 30A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 3.5V @ 40µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| 栅极电压 (Vgs)（最大值） | ±20V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 2300 pF @ 50 V |
| FET 特性 | - |
| 功耗（最大值） | 2.2W (Ta), 43W (Tc) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | MG-WDSON-2 |
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