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Diodes Incorporated DMG6601LVT-7
- 零件编号:
- DMG6601LVT-7
- 制造商:
- Diodes Incorporated
- 封装:
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 数据表:
-
DMG6601LVT-7.pdf
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
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DMG6601LVT-7 规格
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- 属性
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- 制造商
- Diodes Incorporated
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 包装:
- Tape & Reel (TR)
- 产品状态:
- Active
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 配置:
- N and P-Channel
- FET 特性:
- Logic Level Gate
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 30V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 3.8A, 2.5A
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 55mOhm @ 3.4A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 1.5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 12.3nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 422pF @ 15V
- 功率 - 最大值:
- 850mW
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 安装类型:
- Surface Mount
- 供应商设备封装:
- TSOT-26
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| 零件编号 | DMG6601LVT-7 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 配置 | N and P-Channel |
| FET 特性 | Logic Level Gate |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.8A, 2.5A |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.4A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 422pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 850mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | TSOT-26 |
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