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Diodes Incorporated DMP1007UCB9-7
- 零件编号:
- DMP1007UCB9-7
- 制造商:
- Diodes Incorporated
- 封装:
- 9-UFBGA, WLBGA
- 数据表:
-
DMP1007UCB9-7.pdf
- 描述:
- MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
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DMP1007UCB9-7 规格
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- 属性
- 属性值
- 制造商
- Diodes Incorporated
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- 9-UFBGA, WLBGA
- 包装:
- Tape & Reel (TR)
- 产品状态:
- Active
- FET 类型:
- P-Channel
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 8 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 13.2A (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:
- 2.5V, 4.5V
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 1.1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 8.2 nC @ 4.5 V
- 栅极电压 (Vgs)（最大值）:
- ±6V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 900 pF @ 4 V
- FET 特性:
- -
- 功耗（最大值）:
- 840mW (Ta)
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 安装类型:
- Surface Mount
- 供应商设备封装:
- U-WLB1515-9 (Type C)
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| 图片 |  |
| 零件编号 | DMP1007UCB9-7 |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | 9-UFBGA, WLBGA |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Active |
| FET 类型 | P-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 8 V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 13.2A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 2.5V, 4.5V |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 2A, 4.5V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 8.2 nC @ 4.5 V |
| 栅极电压 (Vgs)（最大值） | ±6V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 900 pF @ 4 V |
| FET 特性 | - |
| 功耗（最大值） | 840mW (Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | U-WLB1515-9 (Type C) |
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