Rohm Semiconductor DTC144EBT2L

零件编号:
DTC144EBT2L
制造商:
Rohm Semiconductor
分类:
单个预偏置双极晶体管
封装:
SOT-923F
数据表:
DTC144EBT2L.pdf
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMN3
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制造商
Rohm Semiconductor
系列:
-
封装/外壳:
SOT-923F
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Obsolete
晶体管类型:
NPN - Pre-Biased + Diode
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):
50 V
电阻 - 基极 (R1):
47 kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2):
47 kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce:
68 @ 5mA, 5V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
频率 - 跃迁:
250 MHz
功率 - 最大值:
150 mW
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
VMN3
分类:
单个预偏置双极晶体管
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零件编号 DTC144EBT2L
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
封装/外壳 SOT-923F
包装 Tape & Reel (TR)
产品状态 Obsolete
晶体管类型 NPN - Pre-Biased + Diode
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 50 V
电阻 - 基极 (R1) 47 kOhms
电阻 - 发射极基极 (R2) 47 kOhms
直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 150 mW
等级 -
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供应商设备封装 VMN3

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