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FMD15-06KC5-PT 规格
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- IXYS
- 系列:
- CoolMOS™, HiPerDyn™
- 封装/外壳:
- ISOPLUSi5-PAK™
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- Obsolete
- FET 类型:
- N-Channel
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 600 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 15A (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）:
- 10V
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- 3.5V @ 790µA
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- 52 nC @ 10 V
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- 2000 pF @ 100 V
- FET 特性:
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- 功耗（最大值）:
- -
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
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- Through Hole
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| 图片 |  |
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| 零件编号 | FMD15-06KC5 | FMD15-06KC5-PT |
| 制造商 | IXYS | IXYS |
| 系列 | CoolMOS™ | CoolMOS™, HiPerDyn™ |
| 封装/外壳 | ISOPLUSi5-PAK™ | ISOPLUSi5-PAK™ |
| 包装 | Tube | Bulk |
| 产品状态 | Obsolete | Obsolete |
| FET 类型 | N-Channel | N-Channel |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 600 V | 600 V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 15A (Tc) | 15A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 10V | 10V |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 165mOhm @ 12A, 10V | 165mOhm @ 12A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 3.5V @ 790µA | 3.5V @ 790µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| 栅极电压 (Vgs)（最大值） | ±20V | ±20V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 2000 pF @ 100 V | 2000 pF @ 100 V |
| FET 特性 | - | - |
| 功耗（最大值） | - | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | - | - |
| 认证 | - | - |
| 安装类型 | Through Hole | Through Hole |
| 供应商设备封装 | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS i4-PAC™ |
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