Transphorm TP65H070LDG-TR

零件编号:
TP65H070LDG-TR
制造商:
Transphorm
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
封装:
3-PowerDFN
数据表:
TP65H070LDG-TR.pdf
描述:
650 V 25 A GAN FET
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TP65H070LDG-TR 规格

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制造商
Transphorm
系列:
TP65H070L
封装/外壳:
3-PowerDFN
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
FET 类型:
N-Channel
技术:
GaNFET (Gallium Nitride)
漏极到源极电压 (Vdss):
650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
25A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻):
10V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
85mOhm @ 16A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
4.8V @ 700µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
9.3 nC @ 10 V
栅极电压 (Vgs)(最大值):
±20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
600 pF @ 400 V
FET 特性:
-
功耗(最大值):
96W (Tc)
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
等级:
-
认证:
-
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
3-PQFN (8x8)
分类:
场效应晶体管(FETs)、MOSFETs
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图片 TP65H070LDG-TR TP65H070LDG
零件编号 TP65H070LDG-TR TP65H070LDG
制造商 Transphorm Transphorm
系列 TP65H070L TP65H070L
封装/外壳 3-PowerDFN 3-PowerDFN
包装 Tape & Reel (TR) Tube
产品状态 Active Discontinued at Digi-Key
FET 类型 N-Channel N-Channel
技术 GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
漏极到源极电压 (Vdss) 650 V 650 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A (Tc) 25A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 10V 10V
导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V 85mOhm @ 16A, 10V
栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 4.8V @ 700µA 4.8V @ 700µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 9.3 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V
栅极电压 (Vgs)(最大值) ±20V ±20V
输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 600 pF @ 400 V 600 pF @ 400 V
FET 特性 - -
功耗(最大值) 96W (Tc) 96W (Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
等级 - -
认证 - -
安装类型 Surface Mount Surface Mount
供应商设备封装 3-PQFN (8x8) 3-PQFN (8x8)

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