Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P22HM3_A/I

零件编号:
V8P22HM3_A/I
制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
分类:
单个二极管
封装:
TO-277, 3-PowerDFN
数据表:
V8P22HM3_A/I.pdf
描述:
DIODE SCHOTTKY 200V 2.9A TO277A
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V8P22HM3_A/I 规格

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制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列:
TMBS®
封装/外壳:
TO-277, 3-PowerDFN
包装:
Tape & Reel (TR)
产品状态:
Active
技术:
Schottky
电压 - 直流反向 (Vr)(最大值):
200 V
电流 - 平均整流(Io):
2.9A
电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If:
900 mV @ 8 A
速度:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr):
-
电流 - 反向漏电 @ Vr:
100 µA @ 200 V
电容 @ Vr, F:
440pF @ 4V, 1MHz
等级:
Automotive
认证:
AEC-Q101
安装类型:
Surface Mount
供应商设备封装:
TO-277A (SMPC)
工作温度 - 结点:
-40°C ~ 175°C
分类:
单个二极管
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零件编号 V8P22HM3_A/H V8P22HM3_A/I
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列 TMBS® TMBS®
封装/外壳 TO-277, 3-PowerDFN TO-277, 3-PowerDFN
包装 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品状态 Active Active
技术 Schottky Schottky
电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 200 V 200 V
电流 - 平均整流(Io) 2.9A 2.9A
电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 900 mV @ 8 A 900 mV @ 8 A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr) - -
电流 - 反向漏电 @ Vr 100 µA @ 200 V 100 µA @ 200 V
电容 @ Vr, F 440pF @ 4V, 1MHz 440pF @ 4V, 1MHz
等级 Automotive Automotive
认证 AEC-Q101 AEC-Q101
安装类型 Surface Mount Surface Mount
供应商设备封装 TO-277A (SMPC) TO-277A (SMPC)
工作温度 - 结点 -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C

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