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Goford Semiconductor GT060N04D52
- 零件编号:
- GT060N04D52
- 制造商:
- Goford Semiconductor
- 封装:
- 8-PowerTDFN
- 数据表:
-
GT060N04D52.pdf
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
- 数量:
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GT060N04D52 规格
- 规格
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- 属性
- 属性值
- 制造商
- Goford Semiconductor
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- 8-PowerTDFN
- 包装:
- Tape & Reel (TR)
- 产品状态:
- Active
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 配置:
- 2 N-Channel
- FET 特性:
- -
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 40V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 62A (Tc)
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 6.5mOhm @ 30A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 2.3V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 44nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 1276pF @ 20V
- 功率 - 最大值:
- 20W (Tc)
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 安装类型:
- Surface Mount
- 供应商设备封装:
- 8-DFN (4.9x5.75)
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| 图片 |  |
| 零件编号 | GT060N04D52 |
| 制造商 | Goford Semiconductor |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 产品状态 | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 配置 | 2 N-Channel |
| FET 特性 | - |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 30A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 1276pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 20W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 8-DFN (4.9x5.75) |
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