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International Rectifier IRFHE4250DTRPBF
- 零件编号:
- IRFHE4250DTRPBF
- 封装:
- 32-PowerVFQFN
- 数据表:
-
IRFHE4250DTRPBF.pdf
- 描述:
- MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
- 数量:
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IRFHE4250DTRPBF 规格
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- 属性
- 属性值
- 制造商
- International Rectifier
- 系列:
- HEXFET®
- 封装/外壳:
- 32-PowerVFQFN
- 包装:
- Bulk
- 产品状态:
- Active
- 技术:
- MOSFET (Metal Oxide)
- 配置:
- 2 N-Channel (Dual)
- FET 特性:
- -
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 25V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 86A (Tc), 303A (Tc)
- 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs:
- 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id:
- 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs:
- 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds:
- 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
- 功率 - 最大值:
- 156W (Tc)
- 工作温度:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 安装类型:
- Surface Mount
- 供应商设备封装:
- 32-PQFN (6x6)
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我们拥有专业且经验丰富的质量控制团队,对IRFHE4250DTRPBF进行严格的验证和测试.所有供应商必须通过我们的资质审核,才能在深圳市宝利科技有限公司发布包括IRFHE4250DTRPBF在内的产品;我们比任何其他客户都更关注IRFHE4250DTRPBF产品的渠道和质量.我们严格执行供应商审核,所以您可以放心购买.
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| 图片 |  |
| 零件编号 | IRFHE4250DTRPBF |
| 制造商 | International Rectifier |
| 系列 | HEXFET® |
| 封装/外壳 | 32-PowerVFQFN |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 特性 | - |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 86A (Tc), 303A (Tc) |
| 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 156W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 32-PQFN (6x6) |
IRFHE4250DTRPBF 相关信息
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