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0755-82798135Microchip Technology MSCSM70XM75CTYZBNMG
- 零件编号:
- MSCSM70XM75CTYZBNMG
- 制造商:
- Microchip Technology
- 封装:
- Module
- 描述:
- MOSFET 6N-CH 700V 31A
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MSCSM70XM75CTYZBNMG 规格
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- 制造商
- Microchip Technology
- 系列:
- -
- 封装/外壳:
- Module
- 包装:
- Bulk
- 产品状态:
- Active
- 技术:
- Silicon Carbide (SiC)
- 配置:
- 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET 特性:
- -
- 漏极到源极电压 (Vdss):
- 700V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
- 31A (Tc), 52A (Tc)
- 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs:
- 75mOhm @ 20A, 20V, 44mOhm @ 30A, 20V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id:
- 2.4V @ 1mA, 2.7V @ 2mA
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:
- 56nC @ 20V, 99nC @ 20V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:
- 1175pF @ 700V, 2010pF @ 700V
- 功率 - 最大值:
- 90W (Tc), 141W (Tc)
- 工作温度:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级:
- -
- 认证:
- -
- 安装类型:
- Chassis Mount
- 供应商设备封装:
- -
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| 零件编号 | MSCSM70XM75CTYZBNMG |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 系列 | - |
| 封装/外壳 | Module |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | Active |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 配置 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 特性 | - |
| 漏极到源极电压 (Vdss) | 700V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 31A (Tc), 52A (Tc) |
| 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs | 75mOhm @ 20A, 20V, 44mOhm @ 30A, 20V |
| 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id | 2.4V @ 1mA, 2.7V @ 2mA |
| 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs | 56nC @ 20V, 99nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds | 1175pF @ 700V, 2010pF @ 700V |
| 功率 - 最大值 | 90W (Tc), 141W (Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 等级 | - |
| 认证 | - |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 供应商设备封装 | - |
MSCSM70XM75CTYZBNMG 相关信息
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