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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds FET 特性 功耗（最大值） 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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    IXFH16N50P3

    IXFH16N50P3

    MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 290 -
    请求报价
    		IXFH16N50P3

    数据表

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 360mOhm @ 8A, 10V 5V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±30V 1515 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    TK16G60W,RVQ

    TK16G60W,RVQ

    MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 984 -
    请求报价
    		TK16G60W,RVQ

    数据表

         		DTMOSIV TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15.8A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.9A, 10V 3.7V @ 790µA 38 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STW35N65DM2

    STW35N65DM2

    MOSFET N-CH 650V 32A TO247

    STMicroelectronics

    		 816 -
    请求报价
    		STW35N65DM2

    数据表

         		MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 110mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 56.3 nC @ 10 V ±25V 2540 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NVHL095N65S3F

    NVHL095N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247

    onsemi

    		 418 -
    请求报价
    		NVHL095N65S3F

    数据表

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3020 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHB24N65E-GE3

    SIHB24N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 1,868 -
    请求报价
    		SIHB24N65E-GE3

    数据表

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPTG018N10NM5ATMA1

    IPTG018N10NM5ATMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    		 1,700 -
    请求报价
    		IPTG018N10NM5ATMA1

    数据表

         		OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Ta), 273A Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 202µA 152 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    NVHL095N65S3HF

    NVHL095N65S3HF

    SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH

    onsemi

    		 450 -
    请求报价
    		NVHL095N65S3HF

    数据表

         		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3105 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPB65R110CFDATMA2

    IPB65R110CFDATMA2

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3

    Infineon Technologies

    		 1,960 -
    请求报价
    		IPB65R110CFDATMA2

    数据表

         		CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    SIHP085N60EF-GE3

    SIHP085N60EF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    		 1,995 -
    请求报价
    		SIHP085N60EF-GE3

    数据表

         		EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IMWH170R450M1XKSA1

    IMWH170R450M1XKSA1

    IMWH170R450M1XKSA1

    Infineon Technologies

    		 252 -
    请求报价

    -

    		 CoolSiC™ TO-247-3 Tray Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 10A (Tj) 12V, 15V 390mOhm @ 2A, 15V 5.7V @ 2.6mA 11.7 nC @ 12 V 15V, 12V 506 pF @ 1000 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U04
    SIHF30N60E-GE3

    SIHF30N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220

    Vishay Siliconix

    		 2,975 -
    请求报价
    		SIHF30N60E-GE3

    数据表

         		E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
    MCBS260N10Y-TP

    MCBS260N10Y-TP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7

    Micro Commercial Co

    		 1,508 -
    请求报价
    		MCBS260N10Y-TP

    数据表

         		- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 260A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±20V 10589 pF @ 25 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SIHG24N65E-GE3

    SIHG24N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 610 -
    请求报价
    		SIHG24N65E-GE3

    数据表

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    CDF56G7032N TR13 PBFREE

    CDF56G7032N TR13 PBFREE

    SURFACE MOUNT MOSFET

    Central Semiconductor Corp

    		 2,500 -
    请求报价

    -

    		 - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 18A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V +7V, -6V 125 pF @ 400 V - 1.1W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6)
    TK095N65Z5,S1F(S

    TK095N65Z5,S1F(S

    650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 195 -
    请求报价

    -

    		 DTMOSVI TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Ta) 10V 95mOhm @ 14.5A, 10V 4.5V @ 1.27mA 50 nC @ 10 V ±30V 2880 pF @ 300 V - 230W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-247
    XP10NA1R5TL

    XP10NA1R5TL

    MOSFET N-CH 100V 300A TOLL

    YAGEO XSEMI

    		 987 -
    请求报价
    		XP10NA1R5TL

    数据表

         		XP10NA1R5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 300A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 16960 pF @ 80 V - 3.75W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
    MSC180SMA120SDT/R

    MSC180SMA120SDT/R

    MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

    Microchip Technology

    		 773 -
    请求报价
    		MSC180SMA120SDT/R

    数据表

         		mSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 18V, 20V 225mOhm @ 8A, 20V 5V @ 500µA 36 nC @ 20 V +23V, -10V 481 pF @ 1.2 kV - 146W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SIHF085N60EF-GE3

    SIHF085N60EF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU

    Vishay Siliconix

    		 1,000 -
    请求报价
    		SIHF085N60EF-GE3

    数据表

         		EF TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    IPW95R130PFD7XKSA1

    IPW95R130PFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 314 -
    请求报价
    		IPW95R130PFD7XKSA1

    数据表

         		CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 36.5A 10V - - 141 nC @ 10 V ±20V - - 227W -55°C ~ 150°C - - Through Hole PG-TO247-3-41
    NTMTS002N08MC

    NTMTS002N08MC

    PTNG 80V IN CEBU PQFN88

    onsemi

    		 2,948 -
    请求报价
    		NTMTS002N08MC

    数据表

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 29A (Ta), 229A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 540µA 125 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 40 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
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