场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 厂商型号 可用性 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 FET 特性 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
HAS350M12BM3

HAS350M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 350A

Wolfspeed, Inc.

3 -
HAS350M12BM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 350A - - - - - - - - Chassis Mount -
HAS530M12BM3

HAS530M12BM3

MOSFET 2N-CH 1200V 530A

Wolfspeed, Inc.

3 -
HAS530M12BM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 530A - - - - - - - - Chassis Mount -
WAS310M17BM3

WAS310M17BM3

SIC 1700V 310A

Wolfspeed, Inc.

4 -
WAS310M17BM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 310A - - - - - - - - Chassis Mount -
HAS310M17BM3

HAS310M17BM3

MOSFET 2N-CH 1700V 399A

Wolfspeed, Inc.

3 -
HAS310M17BM3

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) Silicon Carbide (SiC) 1700V 399A (Tc) 5.8mOhm @ 310A, 15V 3.6V @ 102mA 996nC @ 15V 31500pF @ 1000V 1.63kW (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount -
ADP280120W3

ADP280120W3

MOSFET 6N-CH 1200V 275A ACEPACK

STMicroelectronics

5 -
ADP280120W3

数据表

ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 275A (Tj) 5.05mOhm @ 280A, 18V 4.4V @ 30mA 629nC @ 18V 18710pF @ 800V 549W -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
CAB320M17XM3

CAB320M17XM3

SIC 1700V 320A MODULE

Wolfspeed, Inc.

2 -
CAB320M17XM3

数据表

- Module Box Active Silicon Carbide (SiC) - - 1700V (1.7kV) 320A (Tc) - - - - - - - - Chassis Mount -
ADP480120W3

ADP480120W3

MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

STMicroelectronics

6 -
ADP480120W3

数据表

ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
ADP480120W3-L

ADP480120W3-L

MOSFET 6N-CH 1200V 488A ACEPACK

STMicroelectronics

5 -
ADP480120W3-L

数据表

ECOPACK® Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (Phase Leg) Silicon Carbide (SiC) 1200V (1.2kV) 488A (Tj) 2.6mOhm @ 480A, 18V 4.4V @ 50mA 1258nC @ 18V 37420pF @ 800V 869W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount ACEPACK
NVXR22S90M2SPB

NVXR22S90M2SPB

MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39

onsemi

4 -
NVXR22S90M2SPB

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 510A (Tj) 2.7mOhm @ 510A, 18V 4.3V @ 150mA 1800nC @ 18V 35000pF @ 400V 900W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
NVXR22S90M2SPC

NVXR22S90M2SPC

MOSFET 6N-CH 900V 510A SSDC39

onsemi

3 -
NVXR22S90M2SPC

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 510A (Tj) 2.7mOhm @ 510A, 18V 4.3V @ 150mA 1800nC @ 18V 35000pF @ 400V 900W (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
NVXR17S90M2SPB

NVXR17S90M2SPB

MOSFET 6N-CH 900V 620A SSDC39

onsemi

7 -
NVXR17S90M2SPB

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 620A (Tj) 2.1mOhm @ 620A, 18V 4.3V @ 200mA 2400nC @ 18V 45000pF @ 400V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
NVXR17S90M2SPC

NVXR17S90M2SPC

MOSFET 6N-CH 900V 620A SSDC39

onsemi

3 -
NVXR17S90M2SPC

数据表

- Module Bulk Active Silicon Carbide (SiC) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 900V 620A (Tj) 2.1mOhm @ 620A, 18V 4.3V @ 200mA 2400nC @ 18V 45000pF @ 400V 1kW (Tj) -40°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Chassis Mount SSDC39
IRFR21496

IRFR21496

MOSFET N-CH 250V 2.2A

Harris Corporation

993 -
IRFR21496

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
RFD14N05S2515

RFD14N05S2515

MOSFET N-CH 50V 14A

Harris Corporation

900 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SI4920DY

SI4920DY

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

970 -
SI4920DY

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 6A (Ta) 28mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 13nC @ 5V 830pF @ 15V 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
PJT7872B_R1_00001

PJT7872B_R1_00001

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Panjit International Inc.

922 -
PJT7872B_R1_00001

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 250mA (Ta) 3Ohm @ 600mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.82nC @ 4.5V 34pF @ 25V 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-363
NTZD3154NT5G

NTZD3154NT5G

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563

onsemi

314 -
NTZD3154NT5G

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 540mA 550mOhm @ 540mA, 4.5V 1V @ 250µA 2.5nC @ 4.5V 150pF @ 16V 250mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-563
IPB13N03LBG

IPB13N03LBG

MOSFET N-CH

Infineon Technologies

999 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
IRFU220S2497

IRFU220S2497

MOSFET N-CH

Harris Corporation

900 -
IRFU220S2497

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
SFT1405-TL-E

SFT1405-TL-E

MOSFET N-CH

onsemi

700 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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